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深圳威尼遜自動(dòng)化科技有限公司
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理研和松下電工開(kāi)研制出高功率、高效率的紫外LED
點(diǎn)擊次數(shù):751 發(fā)布時(shí)間:2008/7/9 10:07:36
日本理化學(xué)研究所和松下電工宣布,用波長(zhǎng)282nm的紫外LED,實(shí)現(xiàn)全球大功率10.6mW的室溫連續(xù)發(fā)光已獲確認(rèn)。由此可實(shí)現(xiàn)用于殺滅大腸桿菌等的殺菌燈的小型化。此前在280nm波長(zhǎng)區(qū)域,大功率為美國(guó)南卡羅萊納大學(xué)研究小組的8mW。
此次的紫外LED在由鋁(Al)、鎵(Ga)以及氮(N)構(gòu)成的半導(dǎo)體中添加了百分之幾的銦(In)。In的添加提高了p型半導(dǎo)體的空穴濃度,比未添加時(shí),功率提高了5倍左右。此外,通過(guò)把Al的組成比提高到50%以上、向量子阱發(fā)光層注入Si等方法,把波長(zhǎng)280nm區(qū)域原來(lái)僅10%左右的內(nèi)部量子效率大幅提高至(推定)80%以上。
該成果將于2008年7月6日~9日在伊豆修善寺舉辦的“第二屆氮化物半導(dǎo)體結(jié)晶生長(zhǎng)國(guó)際研討會(huì)(ISGN-2)”上發(fā)布。
此次的紫外LED在由鋁(Al)、鎵(Ga)以及氮(N)構(gòu)成的半導(dǎo)體中添加了百分之幾的銦(In)。In的添加提高了p型半導(dǎo)體的空穴濃度,比未添加時(shí),功率提高了5倍左右。此外,通過(guò)把Al的組成比提高到50%以上、向量子阱發(fā)光層注入Si等方法,把波長(zhǎng)280nm區(qū)域原來(lái)僅10%左右的內(nèi)部量子效率大幅提高至(推定)80%以上。
該成果將于2008年7月6日~9日在伊豆修善寺舉辦的“第二屆氮化物半導(dǎo)體結(jié)晶生長(zhǎng)國(guó)際研討會(huì)(ISGN-2)”上發(fā)布。