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采用硅絕緣體晶圓，Renesas有望采用32nm工藝實(shí)現(xiàn)SR
點(diǎn)擊次數(shù)：1290 發(fā)布時(shí)間：2007/8/2 14:15:07 返回
Renesas表示，該技術(shù)適合帶邏輯電路的片上內(nèi)存，如用于微處理器的緩存內(nèi)存。
Renesas已經(jīng)采用65nm CMOS SOI工藝生產(chǎn)出2Mb SRAM原型，并證實(shí)，與不使用該技術(shù)相比，工作下限電壓大約提高了100毫伏。Renesas指出，讀取裕量(read margin)提高了16%左右，寫入裕量(write margin)則提高了20%左右。晶體管的電氣特性變化降低了19%左右。
Renesas Technology預(yù)期將在日本京都舉行的VLSI技術(shù)2007座談會(huì)上演示一份有關(guān)32nm SRAM技術(shù)的報(bào)告。
